[发明专利]用以制造具有多层模制导电基板和结构半导体封装的方法有效

专利信息
申请号: 201610342189.1 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106169445B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 班文贝;元秋亨;郑季洋;金本吉;金即俊;李钟炫 申请(专利权)人: 艾马克科技公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用以制造具有多层模制导电基板和结构的半导体封装的方法。在一个实施例中,一种用于制造一半导体封装的方法包括提供一多层模制导电结构。该多层模制导电结构包括:一第一导电结构,其设置在一载板的一表面上;和一第一囊封剂,其覆盖该第一导电结构的至少部分,而其它部分暴露于该第一囊封剂中。一第二导电结构设置在该第一囊封剂上,并且电气连接到该第一导电结构。一第二囊封剂覆盖该第二导电结构的一第一部分,而该第二导电结构的一第二部分暴露到外部,并且该第二导电结构的一第三部分暴露于设置在该第二囊封剂中的一接收空间中。该方法包括:将一半导体晶粒电气连接至该第二导电结构,并在一些实施例中,移除该载板。
搜索关键词: 用以 制造 具有 多层 制导 电基板 结构 半导体 封装 方法
【主权项】:
一种用于制造半导体封装的方法,其包括:提供多层模制导电结构,其包括:第一导电结构,其设置在载板的第一表面上;第一囊封剂,其囊封该第一导电结构的至少部分,其中该第一导电结构的其它部分暴露于该第一囊封剂中;第二导电结构,其设置在该第一囊封剂上,并且电气耦合到该第一导电结构;和第二囊封剂,其囊封该第二导电结构的第一部分,其中该第二导电结构的第二部分暴露于该第二囊封剂中,并且其中该第二导电结构的第三部分暴露于设置在该第二囊封剂中的接收空间中;以及将第一半导体晶粒电气耦合到该第二导电结构在该接收空间中的该第三部分。
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