[发明专利]半导体装置及其制作工艺有效
| 申请号： | 201610340188.3 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107403835B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘升旭;李镇全;吕水烟 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司;联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及该半导体装置的制作工艺，该半导体装置包含栅极以及外延结构。其中，栅极是设置在基底上。外延结构则是设置在基底内并介于两栅极结构之间，且基底的一凸部在一投影方向上是延伸至外延结构内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包含：二栅极，设置在一基底上；以及外延结构，设置在该基底内并介于该二栅极之间，其中该基底的一凸部在一投影方向上是延伸至该外延结构内。
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