[发明专利]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201610318302.2 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107369604B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李兴存;韦刚;成晓阳;苏恒毅 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/265;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括上电极装置和下电极装置，该下电极装置设置在反应腔室内，用于承载晶片。上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源和上电极组件，其中，介质筒设置在反应腔室的顶部；线圈环绕设置在介质筒的外围；上电极组件包括上电极板，该上电极板设置在介质筒的顶部；上功率电源用于同时或者分别向上电极板和线圈加载激励功率。本发明提供的反应腔室，其不仅可以减小线圈的输出端与输入端之间的电压差异，而且可以削弱由线圈的电场不均匀产生的影响，从而可以提高等离子体的密度分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括上电极装置和下电极装置，所述下电极装置设置在所述反应腔室内，用于承载晶片，其特征在于，所述上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源和上电极组件，其中，所述介质筒设置在所述反应腔室的顶部；所述线圈环绕设置在所述介质筒的外围；所述上电极组件包括上电极板，所述上电极板设置在所述介质筒的顶部；所述上功率电源用于同时或者分别向所述上电极板和所述线圈加载激励功率；其中，所述上功率电源为一个；所述线圈的输入端与所述上功率电源电连接，所述线圈的输出端与所述上电极组件电连接；所述反应腔室还包括接地的屏蔽罩，所述屏蔽罩罩设在所述介质窗和所述上电极组件的外围，用以屏蔽由所述线圈产生的电磁场；所述反应腔室还包括可调电容，所述可调电容串接在所述屏蔽罩与所述上电极组件之间。
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