[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括上电极装置和下电极装置，所述下电极装置设置在所述反应腔室内，用于承载晶片，其特征在于，所述上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源和上电极组件，其中，

所述介质筒设置在所述反应腔室的顶部；

所述线圈环绕设置在所述介质筒的外围；

所述上电极组件包括上电极板，所述上电极板设置在所述介质筒的顶部；

所述上功率电源用于同时或者分别向所述上电极板和所述线圈加载激励功率；其中，

所述上功率电源为一个；

所述线圈的输入端与所述上功率电源电连接，所述线圈的输出端与所述上电极组件电连接；

所述反应腔室还包括接地的屏蔽罩，所述屏蔽罩罩设在所述介质窗和所述上电极组件的外围，用以屏蔽由所述线圈产生的电磁场；

所述反应腔室还包括可调电容，所述可调电容串接在所述屏蔽罩与所述上电极组件之间。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述上电极板上设置有至少一个进气口，用以向所述反应腔室内通入反应气体。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上电极板具有用作匀流腔的空腔；

在所述匀流腔的顶部设置有进气口，用以向所述匀流腔内输送反应气体；

在所述匀流腔的底部设置有多个出气孔，且相对于所述匀流腔的底面均匀分布，用以均匀地将所述匀流腔内的反应气体输送至所述反应腔室内。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述下电极装置包括基座和下功率电源，其中，

所述基座设置在所述反应腔室内，用于承载晶片；

所述下功率电源用于向所述基座加载射频功率。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述上功率电源包括低频电源或者射频电源。

6.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-5任意一项所述的反应腔室。