[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201610313279.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106158926B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨竣杰;綦振瀛;李庚谚 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司;中央大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露的一实施方式提供一种半导体装置。该半导体装置，包含：一通道层、一AlxIn1‑xN层在该通道层之上且有一厚度t1、一反极化层在该AlxIn1‑xN层之上且有一厚度t2。该厚度需介于0.5×t1≦t2≦3×t1。本揭露的另一实施方式提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括形成一通道层于一基板之上；形成一AlxIn1‑xN层在该通道层之上且有一厚度t1；形成一反极化层在该AlxIn1‑xN层之上且有一厚度t2。该厚度需介于0.5×t1≦t2≦3×t1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包含：一通道层；一AlxIn1‑xN层，其位于该通道层之上且具有一厚度t1，以及一反极化层，其位于该AlxIn1‑xN层之上且具有一厚度t2，其中，0.5×t1≦t2≦3×t1且0＜x＜1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司;中央大学，未经台达电子工业股份有限公司;中央大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610313279.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：四轮驱动车辆的驱动力控制装置
- 下一篇：用于电连接器组件的电磁干扰垫圈
- 同类专利
- 专利分类
