[发明专利]一种屏蔽差分硅通孔结构及制作方法

摘要

本发明属于涉及一种屏蔽差分硅通孔结构及制作方法。一种屏蔽差分硅通孔结构，其从上往下依次为顶层介质层、硅衬底和底层介质层。一种屏蔽差分硅通孔结构的制备方法，包括(1)在硅衬底上刻蚀环形盲槽；(2)制备第一介质层；(3)制备屏蔽层；(4)刻蚀盲孔；(5)制备第二介质层；(6)制备差分线；(7)制备顶层介质层；(8)在顶层介质层上刻蚀环形槽和两个圆柱形孔；(9)制备顶层互连屏蔽层和顶层互连差分线；(10)将硅衬底减薄；(11)去除表层损伤层；(12)制备底层介质层；(13)在底层介质层上刻蚀环形槽和两个圆柱形孔；(14)制备底层互连屏蔽层和底层互连差分线。

主权项

1.一种屏蔽差分硅通孔结构，其特征在于，包括顶层介质层、顶层互连屏蔽层、顶层互连差分线、硅衬底、第一介质层、屏蔽层、第二介质层、差分线、底层介质层、底层互连屏蔽层和底层互连差分线：差分硅通孔结构从上往下依次为顶层介质层、硅衬底和底层介质层；所述顶层介质层设有呈环形通槽分布的顶层互连屏蔽层，所述顶层互连屏蔽层内侧设有两个呈圆柱形通孔分布的顶层互连差分线；所述硅衬底设有呈环形通槽分布的屏蔽层，在所述屏蔽层的内侧设有两个呈圆柱形通孔分布的差分线，在所述屏蔽层与所述硅衬底之间设有第一介质层，在所述差分线与所述硅衬底之间设有第二介质层；所述底层介质层设有呈环形通槽分布的底层互连屏蔽层，所述底层互连屏蔽层内侧设有两个呈圆柱形通孔分布的底层互连差分线；所述顶层互连屏蔽层、所述屏蔽层、所述底层互连屏蔽层依次相连；所述顶层互连差分线、所述差分线、所述底层互连差分线依次相连，其中：所述两个顶层互连差分线关于顶层互连屏蔽层中心线中心对称；所述两个底层互连差分线关于底层互连屏蔽层中心线中心对称；所述顶层互连屏蔽层为铜层、钨层或多晶硅层，所述顶层互连差分线为铜线、钨线或多晶硅线；所述两个差分线关于屏蔽层中心线中心对称；所述屏蔽层为铜层、钨层或多晶硅层，所述差分线为铜线、钨线或多晶硅线；所述第一介质层为二氧化硅层、氮化硅层或有机聚合物苯并环丁烯层，所述第二介质层为二氧化硅层、氮化硅层或有机聚合物苯并环丁烯层；所述底层互连屏蔽层为铜层、钨层或多晶硅层，所述底层互连差分线为铜线、钨线或多晶硅线。