[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201610274705.1 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106653084A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 郑盛旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 毋二省,李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有改进的可靠性的半导体存储器件及其操作方法，其中，响应于编程状态的验证而将第一通过电压改变为第二通过电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体存储器件的方法，所述方法用于对连接至半导体存储器件的选中的字线的多个存储单元编程，所述方法包括：通过施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态；在施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线的同时，施加第一通过电压给半导体存储器件的未选中的字线；以及如果验证成功，则在施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，将施加给半导体存储器件的未选中的字线的第一通过电压改变为第二通过电压，第二通过电压具有比第一通过电压的电压电平高的电压电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610274705.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
