[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法用于对连接至半导体存储器件的选中的字线的多个存储单元编程，所述方法包括：

通过施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态；

在施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线的同时，施加第一通过电压给半导体存储器件的未选中的字线；以及

如果验证成功，则在施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，将施加给半导体存储器件的未选中的字线的第一通过电压改变为第二通过电压，第二通过电压具有比第一通过电压的电压电平高的电压电平。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在施加验证电压给半导体存储器件的所述选中的字线的同时，施加第二通过电压给半导体存储器件的未选中的字线。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第一通过电压具有相比于第N编程状态的阈值电压的电压电平而较高的电压电平。

4.如权利要求1所述的方法，其中，第二通过电压的电压电平比第一通过电压的电压电平高出特定参考电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述参考电压是基于所述多个存储单元的阈值电压来确定的。

6.如权利要求2所述的方法，其中，验证第一编程状态至第N编程状态包括：

确认所述多个存储单元的阈值电压超过目标编程状态的阈值电压，

其中，未能验证第一编程状态至第N编程状态包括：

确认所述多个存储单元的阈值电压未超过第N编程状态的阈值电压。

7.一种操作半导体存储器件的方法，半导体存储器件包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每个被编程为具有基于其阈值电压来划分的第一编程状态至第N编程状态之中的任意一个编程状态，所述方法包括：

施加编程电压给连接了所述多个存储单元的选中的字线；

施加验证电压给所述选中的字线以验证所述多个存储单元的第一编程状态；

在施加验证电压给所述选中的字线的同时，施加第一通过电压给连接了所述多个存储单元的未选中的字线；以及

如果第一编程状态被验证了，则施加与第一通过电压不同的第二通过电压给未选中的字线。

8.如权利要求7所述的方法，其中，第一编程状态至第N编程状态具有按顺序高的阈值电压分布，且第一通过电压相比于第N编程状态的阈值电压而具有较高的电压电平。

9.如权利要求7所述的方法，其中，第二通过电压的电压电平比第一通过电压的电压电平高出特定参考电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述参考电压是基于所述多个存储单元的阈值电压来确定的。

11.如权利要求7所述的方法，其中，验证第一编程状态至第N编程状态包括：

确认所述多个存储单元的阈值电压超过第一编程状态至第N编程状态中的每个编程状态的阈值电压，

其中，未能验证第一编程状态至第N编程状态包括：

确认所述多个存储单元的阈值电压未超过第N编程状态的阈值电压。

12.一种半导体存储器件，包括：

多个存储单元，连接至多个字线；以及

外围电路，被配置为：

通过施加验证电压给所述多个字线中的选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态，所述第一编程状态为基于阈值电压而划分的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态，

在施加验证电压给所述多个字线的所述选中的字线的同时，施加第一通过电压给所述多个字线中的未选中的字线；以及

如果第一编程状态被验证了，则在施加验证电压给所述多个字线中的所述选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，施加第二通过电压给所述多个字线中的未选中的字线。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，第一编程状态至第N编程状态具有按顺序高的阈值电压分布，且第一通过电压具有比第N编程状态的阈值电压的电压电 平高的电压电平。

14.如权利要求12所述的半导体存储器件，其中，第二通过电压的电压电平比第一通过电压的电压电平高出特定参考电压。