[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年11月3日提交的申请号为10-2015-0153915的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的方面涉及一种电子器件，更具体地，涉及一种半导体存储器件及其操作方法。

背景技术

半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体实施的存储器件。半导体存储器件通常分类成易失性存储器件或非易失性存储器件。

易失性存储器是在电源被切断时丢失储存的数据的存储器件。易失性存储器的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、以及同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器是即使在电源被切断时仍保持储存的数据的存储器件。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、以及铁电RAM(FRAM)等。快闪存储器通常分类为“或非”型快闪存储器或“与非”型快闪存储器。

发明内容

本文中所公开的示例性实施例提供具有改进可靠性的半导体存储器件及其操作方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种操作半导体存储器件的方法，所述方法用于对连接至半导体存储器件的选中的字线的多个存储单元编程，所述方法包括：通过施加验证电压给半导体存储器件的选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态；在施加验证电压给半导体存储器件的选中的字线的同时，施加第一通过电压给半导体存储器件的未选中的字线；以及如果验证成功，则在施加验证电压给半导体存储器件的选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，将 施加给半导体存储器件的未选中的字线的第一通过电压改变为第二通过电压，第二通过电压具有比第一通过电压的电压电平高的电压电平。

根据本公开的一个方面，提供了一种操作包括多个存储单元的半导体存储器件的方法，所述多个存储单元中的每个被编程为具有基于其阈值电压来划分的第一编程状态至第N编程状态之中的任意一个编程状态，所述方法包括：施加编程电压给连接了所述多个存储单元的选中的字线；施加验证电压给选中的字线以验证所述多个存储单元的第一编程状态；在施加验证电压给选中的字线的同时，施加第一通过电压给连接了所述多个存储单元的未选中的字线；以及如果第一编程状态被验证了，则施加与第一通过电压不同的第二通过电压给未选中的字线。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：多个存储单元，连接至多个字线；以及外围电路，被配置为：通过施加验证电压给所述多个字线中的选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态，所述第一编程状态为基于阈值电压而划分的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态，在施加验证电压给所述多个字线的选中的字线的同时，施加第一通过电压给所述多个字线中的未选中的字线；以及如果第一编程状态被验证了，则在施加验证电压给所述多个字线中的选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，施加第二通过电压给所述多个字线中的未选中的字线。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：多个存储单元，连接至多个字线；以及外围电路，被配置为：施加编程电压给多个字线中的选中的字线，以及通过施加验证电压给所述多个字线中的选中的字线来验证所述多个存储单元的第一编程状态，所述第一编程状态是基于阈值电压划分的第一编程状态至第N编程状态中的第一编程状态；在施加验证电压给选中的字线的同时，施加第一通过电压给所述多个字线中的未选中的字线；以及如果第一编程状态被验证了，则在施加验证电压给所述多个字线中的选中的字线以验证第二编程状态至第N编程状态的同时，施加第二通过电压给所述多个字线中的未选中的字线。

附图说明

现在将参照附图来描述示例性实施例。这些示例性实施例被提供使得本公开将彻底且完整，且这些实施例将把示例性实施例的范围充分传达给本领域技术人员。然而，本发明可以以不同的形式来实施，而不应当被解释为局限于本文中所阐述的示例性实施例。

在附图中，可能夸大了尺寸以为了图示清楚。将理解的是，当一个元件被称作在两个元件“之间”时，其可以为这两个元件之间的唯一元件，或者在这两个元件之间还可 以有一个或更多个额外元件。贯穿本公开，附图标记直接对应于本发明的各个附图和实施例中的相同编号部分。