[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件包括漏极金属、N+衬底、N‑漂移区；N‑漂移区的内部设有凹槽，制作方法包括步骤：在外延片上刻蚀出凹槽，该凹槽和光刻对准标记同时形成；N‑外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子注入阻挡层图形；以多晶硅为掩膜铝离子注入形成P型基区；淀积二氧化硅并反刻形成侧墙，利用自对准工艺氮离子注入形成N+源区；去掉多晶硅和二氧化硅，再淀积一层多晶硅并形成离子注入阻挡层图形；铝离子注入形成P+接触区域；除去多晶硅，进行离子注入激活退火和栅氧氧化；本发明既实现了沟道自对准工艺，又将P+接触区做深，有效抑制了寄生BJT晶体管的开启，一定程度上提高了碳化硅MOSFET器件的抗UIS失效能力。

主权项

1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：包括漏极金属(7)、漏极金属(7)上方的N+衬底(6)、N+衬底(6)上方的N‑漂移区(5)；所述N‑漂移区(5)的内部上方中间设有凹槽(11)，凹槽(11)左侧为第一P型基区(8)，右侧为第二P型基区(81)；所述第一P型基区(8)内部上方设有第一N+源区(9)；所述第二P型基区(81)内部上方具有第二N+源区(91)，所述第一N+源区(9)和凹槽(11)之间是第一P+欧姆接触区(10)；所述第二N+源区(91)和凹槽(11)之间是第二P+欧姆接触区(101)；所述凹槽(11)下方是第三P+欧姆接触区(102)；第一栅介质(4)从N‑漂移区(5)的左端上表面向右延伸至第一N+源区(9)的左上表面；第二栅介质(41)从第二N+源区(91)的右上表面向右延伸至N‑漂移区(5)的右端上表面；第一多晶硅栅(3)位于第一栅介质(4)上表面；第一层间绝缘介质(2)覆盖第一多晶硅栅(3)的上方、以及第一多晶硅栅(3)和第一栅介质(4)的右侧；第二多晶硅栅(31)位于第二栅介质(41)上表面；第二层间绝缘介质(21)覆盖第二多晶硅栅(31)和第二栅介质(41)的左侧、以及第二多晶硅栅(31)的上方，第一层间绝缘介质(2)的上表面和右侧、第一N+源区(9)的右上表面、第一P+欧姆接触区(10)的上表面、凹槽(11)的内部、第二P+欧姆接触区(101)的上表面、第二N+源区(91)的左上表面以及第二层间绝缘介质(21)的左侧和上表面均设有源金属(1)，第一P型基区(8)左端和第一N+源区(9)左端之间的间隙为器件第一沟道；第二P型基区(81)右端和第二N+源区(91)右端之间的间隙为器件第二沟道。