[发明专利]半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件有效
| 申请号： | 201610239440.1 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN105870195B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 刘政;李小龙;左岳平;皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件。所述半导体器件包括设置在一基底上的半导体层，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行，使半导体层在平行于基底的方向和垂直于基底的方向均有分布，从而在投影面积一定的情况下，能够增加半导体层的长度，提供更长的沟道，提升了薄膜晶体管的性能。而且能够实现更小尺寸的薄膜晶体管，并保证薄膜晶体管的性能，适用于高分辨产品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括设置在基底上的半导体层、第一电极、第二电极和两个栅电极；所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行；所述半导体层还包括第三部分，所述第三部分包括第一区和第二区；所述第一区与所述第一电极电性接触，所述第二区与所述第二电极电性接触；所述半导体层的设置面为凸起结构、凹槽结构或两者的结合；所述半导体器件还包括与所述半导体层的第二部分接触设置的导电层。
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