[发明专利]半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制作方法、显示器件。

背景技术

薄膜晶体管因其功耗低、体积小、工艺成熟等特点，被广泛应用于显示器件中。其中，薄膜晶体管沟道的长度越大，开启电流越大，薄膜晶体管的性能越好。薄膜晶体管沟道的长度为沟道靠近源电极的一侧到靠近漏电极的一侧的延伸距离。

针对高分辨率的显示器件，需要小尺寸的薄膜晶体管，对薄膜晶体管阵列基板的工艺实现、电学性能、可靠性的要求更高。特别是有机电致发光二极管显示技术中时，其驱动薄膜晶体管一般需要较长的沟道，从而会占用较大的面积，对高分辨的设计是一个限制。

发明内容

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件，用以解决薄膜晶体管的小尺寸和高驱动能力之间存在矛盾的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管，包括基底和设置在所述基底上的半导体层，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行。

本发明实施例中还提供一种半导体器件，包括设置在基底上的半导体层、第一电极、第二电极和两个栅电极；所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行；所述半导体层还包括第三部分，所述第三部分包括第一区和第二区；所述第一区与所述第一电极电性接触，所述第二区与所述第二电极电性接触。

本发明实施例中还提供一种阵列基板，采用如上所述的薄膜晶体管或半导体器件。

本发明实施例中还提供一种显示器件，采用如上所述的阵列基板。

本发明实施例中还提供一种如上所述的薄膜晶体管的制作方法，包括在一基底上形成半导体层的步骤，形成半导体层的步骤包括：

形成所述半导体层的第一部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交；

形成所述半导体层的第二部分，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行。

本发明实施例中还提供一种如上所述的半导体器件的制作方法，包括：

在一基底上形成半导体层、第一电极、第二电极和两个栅电极，形成半导体层的步骤包括：

形成所述半导体层的第一部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交；

形成所述半导体层的第二部分，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行；

形成所述半导体层的第三部分，所述第三部分包括第一区和第二区，所述第一区与所述第一电极电性接触，所述第二区与所述第二电极电性接触。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，半导体器件的半导体层包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述所在平面平行，使半导体层在平行于基底的方向和垂直于基底的方向均有分布，从而在投影面积一定的情况下，能够增加半导体层的长度，提供更长的沟道，提升了薄膜晶体管的性能。而且能够实现更小尺寸的薄膜晶体管，并保证薄膜晶体管的性能，适用于高分辨产品。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本发明实施例中薄膜晶体管的结构示意图一；

图2表示本发明实施例中薄膜晶体管的结构示意图二；

图3表示本发明实施例中半导体器件的结构示意图一；

图4表示本发明实施例中半导体器件的结构示意图二；

图5-图8表示图3中半导体器件的制作过程示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

结合图1和图2所示，本实施例中提供一种薄膜晶体管，其包括设置在基底100上的半导体层1、栅电极3、源电极4和漏电极5。薄膜晶体管在打开状态时，位于源电极4和漏电极5之间的半导体层1形成导电沟道，导电沟道的长度为半导体层1位于源电极4和漏电极5之间的部分从靠近源电极4的一侧到靠近漏电极5的一侧的延伸长度。