[发明专利]半导体器件及其制作方法、阵列基板、显示器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括设置在基底上的半导体层、第一电极、第二电极和两个栅电极；所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行；所述半导体层还包括第三部分，所述第三部分包括第一区和第二区；所述第一区与所述第一电极电性接触，所述第二区与所述第二电极电性接触；所述半导体层的设置面为凸起结构、凹槽结构或两者的结合；

所述半导体器件还包括与所述半导体层的第二部分接触设置的导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括一设置在所述基底上的绝缘的隔离层，所述隔离层远离所述基底的表面与所述基底所在平面平行，所述隔离层还包括与所述表面相交的侧面；

所述半导体层的第一部分的至少部分设置在所述隔离层的所述侧面上，第二部分设置在所述隔离层的所述表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层的一端搭接在所述半导体器件的第一电极上，相对的另一端搭接在所述半导体器件的第二电极上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层在所述基底上的正投影区域与所述第一电极和第二电极在所述基底上的正投影区域至少部分交叠。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述两个栅极同层设置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括一绝缘的凹槽结构，所述凹槽结构的槽底所在平面与所述基底所在平面平行，槽壁所在平面与所述基底所在平面相交；

所述半导体层的第一部分的至少部分设置在所述凹槽结构的槽壁上，第二部分设置在所述凹槽结构的槽底上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层在所述基底上的正投影面积小于所述半导体层的第二部分在所述基底上的正投影面积。

8.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的半导体器件。

9.一种显示器件，其特征在于，采用权利要求8所述的阵列基板。

10.一种权利要求1-7任一项所述的半导体器件的制作方法，包括：

在一基底上形成半导体层、第一电极、第二电极和两个栅电极，形成半导体层的步骤包括：

形成所述半导体层的第一部分，所述第一部分所在平面与所述基底所在平面相交；

形成所述半导体层的第二部分，所述第二部分所在平面与所述基底所在平面平行；

形成所述半导体层的第三部分，所述第三部分包括第一区和第二区，所述第一区与所述第一电极电性接触，所述第二区与所述第二电极电性接触；

所述制作方法还包括：形成导电层；所述导电层与所述半导体层的第二部分接触设置。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成一绝缘的隔离层，所述隔离层远离所述基底的表面与所述基底所在平面平行，所述隔离层还包括与所述表面相交的侧面；

所述半导体层的第一部分的至少部分形成在所述隔离层的侧面上，所述半导体层的第二部分形成在所述隔离层的所述表面上。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

形成一绝缘的凹槽结构，所述凹槽结构的槽底与所述基底所在平面平行，槽壁与所述基底所在平面相交；

所述半导体层的第一部分的至少部分形成在所述凹槽结构的槽壁上，所述半导体层的第二部分形成在所述凹槽结构的槽底上。