[发明专利]发光装置及发光装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610223747.2 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105742451B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张正杰;吴宗典;杨文玮;林宗毅 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/36;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发光装置包括基板、发光晶片、第一电极及第二电极。发光晶片包括第一半导体层及第二半导体层。第一半导体层设置于基板上。第二半导体层堆叠于第一半导体层上，且与第一半导体层之间形成一发光接面。第一电极电性连接于第一半导体层，且与第二半导体层电性绝缘。第二电极电性连接于第二半导体层，且与第一电极电性绝缘。发光装置另可包括透光层，此透光层设置于基板上且围绕并接触发光晶片的侧面。透光层的折射率可介于发光晶片的折射率及真空的折射率之间。第一电极可贯穿第二半导体层以电性连接于第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 第一电极 发光晶片 发光装置 电性连接 透光层 折射率 基板 第二电极 半导体层电性 半导体层堆叠 电性绝缘 接面 绝缘 发光 侧面 贯穿 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包括：一基板；一发光晶片，包括：一第一半导体层，设置于该基板上；以及一第二半导体层，堆叠于该第一半导体层上，且与该第一半导体层之间形成一发光接面；一透光层，设置于该基板上且围绕并接触该发光晶片的侧面，该透光层的折射率介于该发光晶片的折射率及真空的折射率之间；一第一电极，电性连接于该第一半导体层；一第二电极，电性连接于该第二半导体层；以及一分隔墙体，围绕该发光晶片，该透光层位于该发光晶片及该分隔墙体之间，且该第一电极或该第二电极自该发光晶片延伸至该分隔墙体上。
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