[发明专利]基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器及其制备方法，包括基于ZnO半导体的光电转换器件、控制器、多路放大器、多路选择器、模数转换器及数据输出电路，基于ZnO半导体的光电转换器件的位线依次经多路放大器、多路选择器及模数转换器与数据输出电路相连接，控制器的输出端与基于ZnO半导体的光电转换器件的字线及偏压线、多路选择器的控制端、模数转换器的控制端及数据输出电路的控制端相连接。本发明的成本较低，性能稳定，使用寿命较长，并且制作方法简单。

主权项

一种基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器，其特征在于，包括基于ZnO半导体的光电转换器件(13)、控制器(18)、多路放大器(14)、多路选择器(15)、模数转换器(16)及数据输出电路(17)，基于ZnO半导体的光电转换器件(13)的位线(12)依次经多路放大器(14)、多路选择器(15)及模数转换器(16)与数据输出电路(17)相连接，控制器(18)的输出端与基于ZnO半导体的光电转换器件(13)的字线(10)及偏压线(11)、多路选择器(15)的控制端、模数转换器(16)的控制端及数据输出电路(17)的控制端相连接；基于ZnO半导体的光电转换器件(13)包括阵列分布的若干光电转换模块，所述光电转换模块包括玻璃衬底(1)、源电极层(3)、漏电极层(2)、第一ZnO膜层(4)、栅介质层(5)、栅电极层(6)、第二ZnO膜层(7)、金属电极层(8)、绝缘层(9)、字线(10)、偏压线(11)及位线(12)；位线(12)、源电极层(3)及漏电极层(2)位于玻璃衬底(1)上，位线(12)与源电极层(3)相连接，漏电极层(2)与位线(12)及源电极层(3)分离，第一ZnO膜层(4)的两侧覆盖于漏电极层(2)上表面的一侧与源电极层(3)的上表面上，栅介质层(5)与栅电极层(6)自下到上依次设于第一ZnO膜层(4)上，且栅介质层(5)及栅电极层(6)均与漏电极层(2)分离，第二ZnO膜层(7)及金属电极层(8)自下到上依次设于漏电极层(2)上表面的另一侧上，绝缘层(9)覆盖于栅电极层(6)及金属电极层(8)的上表面，绝缘层(9)上开设有第一引线孔及第二引线孔，字线(10)及偏压线(11)设于绝缘层(9)的上表面，且字线(10)与偏压线(11)分离，字线(10)的出线端穿过第一引线孔与栅电极层(6)相连接，偏压线(11)的出线端穿过第二引线孔与金属电极层(8)相连接，各光电转换模块中字线(10)的入线端及偏压线(11)的入线端均与控制器(18)的输出端相连接，各光电转换模块中的位线(12)与多路放大器(14)的输入端相连接。