[发明专利]功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610178255.6 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230705A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该功率半导体器件包括半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。解决了在制作电极的过程中为了防止退火时电极被氧化而采用含金的材料导致制作成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。
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