[发明专利]功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；

穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一Ti层的厚度为200埃，所述Al层的厚度为1200埃，所述第二Ti层的厚度为200埃，所述TiN层的厚度为200埃。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极的底部嵌入所述半导体有源层中。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极包括源电极和漏电极，所述功率半导体器件还包括：穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的栅电极，以及覆盖在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上的第二介质层；所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述功率半导体器件为高电子迁移率晶体管。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极为阴极，所述功率半导体器件还包括：穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的阳极，以及覆盖在所述阴极、所述阳极上的第三介质层，所述功率半导体器件为肖特基二极管。

6.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成半导体有源层；

在所述半导体有源层上形成第一介质层；

形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述电极包括源电极和漏电极，所述形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极的步骤包括：

利用光刻工艺对所述第一介质层进行刻蚀，在所述第一介质层上形成暴露所述半导体有源层的第一接触孔和第二接触孔；

在所述第一介质层上形成第一金属层，所述第一金属层包括自下而上依 次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层；

利用光刻工艺对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述源电极和所述漏电极；所述源电极在所述第一接触孔中与所述半导体有源层接触；所述漏电极在所述第二接触孔中与所述半导体有源层接触。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述电极包括阴极，所述形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极的步骤包括：

利用光刻工艺对所述第一介质层进行刻蚀，在所述第一介质层上形成暴露所述半导体有源层的第三接触孔；

在所述第一介质层上形成第一金属层，所述第一金属层包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层；

利用光刻工艺对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述阴极；所述阴极在所述第三接触孔中与所述半导体有源层接触。

9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述形成第一金属层的工艺为磁控溅射镀膜工艺。

10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极的步骤之后，还包括：

在840℃的条件下，在N₂氛围内对已形成的所述电极退火30秒。