[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610171660.5 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105720143B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;谢鹏;高艳龙;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/14;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底的第一表面上依次生长N型层、发光层、P型层，形成外延层；在P型层上形成从P型层上延伸到N型层的凹槽；在P型层上形成电流阻挡层；在电流阻挡层和P型层上形成透明导电薄膜；在透明导电薄膜上电流阻挡层对应的区域边缘形成绝缘层，绝缘层包括多个间隔排列的绝缘单元；在绝缘层的遮挡下对透明导电薄膜进行高温退火；在透明导电薄膜上电流阻挡层对应的区域形成P型电极，在N型层上形成N型电极；对衬底进行减薄；在衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR；对DBR、衬底、以及外延层进行切割和分裂。本发明可以提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上依次生长N型层、发光层、P型层，形成外延层；在所述P型层上形成从所述P型层上延伸到所述N型层的凹槽；在所述P型层上形成电流阻挡层；在所述电流阻挡层和所述P型层上形成透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域边缘形成绝缘层，所述绝缘层包括多个间隔排列的绝缘单元，所述绝缘单元的面积沿从中心向四周的方向逐渐减小；在所述绝缘层的遮挡下对所述透明导电薄膜进行高温退火；在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域形成P型电极，在所述N型层上形成N型电极；对所述衬底进行减薄；在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；对所述DBR、所述衬底、以及所述外延层进行切割和分裂，得到相互独立的发光二极管芯片。
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