[发明专利]一种半导体外延晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610167109.3 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105655387A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张书豪;陈文志;韦静静;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体外延晶片及其制备方法，通过在蓝宝石衬底和外延层之间增设一第一反射层，当采用激光从所述衬底下表面进行扫射形成爆点时，所述第一反射层反射逸出并射向衬底上表面的激光，从而防止采用激光对外延晶片分割时，激光对外延片的灼伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体外延晶片，包括依次堆叠的衬底、第一反射层和外延层，其特征在于：当采用激光从所述衬底下表面进行扫射形成爆点时，所述第一反射层反射逸出并射向衬底上表面的激光。
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