[发明专利]一种半导体外延晶片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体外延晶片，包括依次堆叠的衬底、第一反射层和外延层，其特征在于：当采用激光从所述衬底下表面进行扫射形成爆点时，所述第一反射层反射逸出并射向衬底上表面的激光。

2.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第一反射层为图案化结构，其由一系列等大的单元构成，每个单元等间距分布。

3.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第一反射层对从所述衬底一侧入射的波长为1000~1300nm的红外线的反射率为80%以上。

4.根据权利要求3所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第一反射层的材料为SiO₂和TiO₂，所述SiO₂和TiO₂周期性循环交替层叠形成所述第一反射层，通过调节所述SiO₂层和TiO₂层的厚度和循环周期数调节所述第一反射层对从所述衬底一侧入射的波长为1000~1300nm的红外线的反射率为80%以上。

5.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第一反射层和外延层之间还插入一第二反射层，当所述外延晶片注入电流发光时，所述第二反射层反射从外延层一侧入射的光线。

6.根据权利要求5所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第二反射层对从所述外延层一侧入射的光线的反射率为90%以上。

7.根据权利要求6所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述第二反射层的材料为SiO₂和Ti₃O₅，所述SiO₂和Ti₃O₅周期性循环交替层叠形成所述第二反射层，通过调节所述SiO₂层和Ti₃O₅层的厚度和循环周期数调节所述第二反射层对从所述外延层一侧入射的光线的反射率为90%以上。

8.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片，其特征在于：所述外延层包括依次层叠的AlN缓冲层、N型层、发光层和P型层。

9.一种半导体外延晶片的制作方法，用于制作权利要求1~8中的半导体外延晶片，制作方法如下：

提供一衬底；

于所述衬底上生长外延层；

其特征在于：于所述外延层的沉积步骤之前还包括第一反射层的沉积步骤，当采用激光从所述衬底下表面进行扫射形成爆点时，所述第一反射层反射逸出并射向衬底上表面的激光。

10.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片的制作方法，其特征在于：于所述第一反射层和外延层的沉积步骤之间还插入第二反射层的沉积步骤，当所述外延晶片注入电流发光时，所述第二反射层反射从外延层一侧入射的光线。

11.根据权利要求1所述的一种半导体外延晶片的制作方法，其特征在于：所述外延层通过下面步骤形成：首先采用PVD法沉积AlN缓冲层，其次采用MOCVD法于所述AlN缓冲层依次层叠N型层、发光层和P型层。