[发明专利]闪存组件及非易失性半导体存储器组件有效
| 申请号： | 201610165063.1 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105867840B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 石川笃;薗田浩二;上原刚;小川纯司;小关英通 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F13/16;G06F13/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易失性半导体存储系统具有：多个非易失性半导体存储介质；具有与多个非易失性半导体存储介质连接的介质接口组(1个以上的接口设备)的控制电路；多个开关。介质接口组和多个开关通过数据总线而连接，各开关和各2个以上的非易失性芯片通过数据总线而连接。开关构成为，切换与介质接口组连接的数据总线和与连接在该开关上的多个非易失性芯片中的任意一个连接的数据总线之间的连接。控制电路将写入对象的数据分割成多个数据要素，通过控制多个开关来切换连接，将多个数据要素分散地发送到多个非易失性芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 组件 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种闪存组件，其特征在于，具有：闪存控制器，其连接在第一数据总线、第二数据总线、切换信号线以及多条芯片使能信号线上；多个第一闪存芯片；多个第二闪存芯片；第一开关，其连接在所述多个第一闪存芯片中的任意一个和所述第一数据总线上；以及第二开关，其连接在所述多个第二闪存芯片中的任意一个和所述第二数据总线上，其中所述切换信号线连接在所述第一开关和所述第二开关上，所述多条芯片使能信号线中的每一条分别连接在所述多个第一闪存芯片中的一个和所述多个第二闪存芯片中的一个上，所述闪存控制器被配置成：基于所述切换信号线和所述多条芯片使能信号线中的特定的芯片使能信号线而将所述多个第一闪存芯片中的特定的第一闪存芯片和所述多个第二闪存芯片中的特定的第二闪存芯片设置为可访问状态。
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