[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610135190.7 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105576095B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;钟志白;杜伟华;代睿冬;廖树涛;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，其具有MgGa纳米团簇超晶格的P型接触层，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，提升P型接触层的空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，缓冲层，N型氮化物，多量子阱，P型氮化物以及 P型接触层，其特征在于：所述P型接触层具有MgGa纳米团簇超晶格，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，解决P型因Mg离化效率低引起空穴浓度偏低和电流扩展偏差的问题，提升P型接触层空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。
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