[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，缓冲层，N型氮化物，多量子阱，P型氮化物以及 P型接触层，其特征在于：所述P型接触层具有MgGa纳米团簇超晶格，通过高导电性能MgGa团簇作为电流扩展桥接点，解决P型因Mg离化效率低引起空穴浓度偏低和电流扩展偏差的问题，提升P型接触层空穴的扩散长度，改善P型电流的扩展能力，减少电流的积聚效应，提升发光的均匀性和ESD。

2.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、ZnO适合外延生长的衬底。

3.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述MgGa纳米团簇超晶格为每层P型氮化物接触层布满MgGa纳米团簇，每层厚度为5~500nm。

4.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述MgGa纳米团簇的尺寸为10~500nm。

5.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述MgGa纳米团簇的密度为1E7~1E12cm^-2。

6.根据权利要求1所述的一种氮化物发光二极管，其特征在于：所述MgGa纳米团簇超晶格的周期为N次，其中N>=1。

7.一种氮化物发光二极管的制作方法，包含以下步骤：（1）在衬底上依次外延生长缓冲层、N型氮化物、多量子阱、P型氮化物；（2）采用低温方法生长具有高凹坑密度的P型接触层，作为MgGa纳米团簇的沉积点；（3）生长具有MgGa纳米团簇超晶格的P型接触层。

8.根据权利要求7所述的一种氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）生长具有高凹坑密度的P型接触层，将温度降至600~800度，使氮化物表面粗化，形成密集的凹坑，作为MgGa纳米团簇的沉积点，凹坑密度为1E7~1E12cm^-2。

9.根据权利要求7所述的一种氮化物发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）具有MgGa纳米团簇超晶格的P型接触层，首先关闭NH3，通入Cp2Mg，预铺Mg纳米点，然后关闭Mg，通入TMGa，生成MgGa纳米团簇，然后，开启NH3，同时通入Cp2Mg/TMGA，生长具有MgGa纳米团簇超晶格的P型接触层，重复以上步骤，生长超晶格周期为N次，其中N>=1。