[发明专利]半导体装置及用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610120953.0 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105938827B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 萧友享;李秋雯;杨秉丰;林光隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及一种用于制造所述半导体装置的方法。所述半导体装置包含半导体裸片、半导体元件及焊料层。所述半导体裸片包含铜柱。所述半导体元件包含表面处理层，其中所述表面处理层的材料为镍、金及钯中的至少两者的组合。所述焊料层位于所述铜柱与所述表面处理层之间。所述焊料层包含第一金属间化合物IMC及第二金属间化合物，其中所述第一金属间化合物包含铜、镍及锡中的至少两者的组合。所述第二金属间化合物为金与锡的组合、钯与锡的组合或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其包括铜柱；半导体元件，其包括电性接点及位于所述电性接点上的表面处理层，其中所述表面处理层的材料为镍、金及钯中的至少两者的组合；以及焊料层，其位于所述铜柱与所述表面处理层之间，所述焊料层包括主焊料部分、第一金属间化合物及第二金属间化合物，其中所述第一金属间化合物包括顶部层及底部层，所述顶部层接触所述铜柱，所述底部层接触所述表面处理层，所述第二金属间化合物不连续地形成在所述主焊料部分中，所述第一金属间化合物包括铜、镍及锡中的两者或两者以上的组合，且所述第二金属间化合物包含金与锡的组合、钯与锡的组合或金与锡的组合及钯与锡的组合两者。
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