[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有多个存储单元的存储器元件及其制作方法。该存储器元件包括由多个由导电条带所构成的多个叠层结构。其中，这些导电条带是被多个绝缘条带所分隔。包含浮置栅极的数据储存结构是沿着叠层结构中的导电条带设置。垂直通道膜设置于叠层结构的侧壁上。多个存储单元中的多个存储单元具有位于垂直通道膜中的通道，和位于导电条带中的控制栅极。隧穿氧化层位于垂直通道膜和浮置栅极之间。浮置栅极可以和叠层结构中的导电条带共平面，或位于叠层结构中的导电条带之间。

主权项

1.一种具有多个存储单元的存储器元件，包括：多个叠层结构，是由多个导电条带所构成；其中，这些导电条带是被多个绝缘条带所分隔；多个数据储存结构，包含多个浮置栅极沿着这些叠层结构中的这些导电条带设置；多个垂直通道膜，位于这些叠层结构的多个侧壁上；以及这些存储单元中的多个存储单元，具有位于这些垂直通道膜中的多个通道，以及位于这些导电条带中的多个控制栅极；其中这些存储单元中的多个存储单元，具有位于这些导电条带中的多个特定导电条带中的多个控制栅极，以及位于这些特定导电条带的一第一侧边上的多个浮置栅极；且这些存储单元中的多个邻接存储单元，具有位于这些特定导电条带中的多个控制栅极，以及位于这些特定导电条带中与该第一侧边相反的一第二侧边上的多个浮置栅极。