[发明专利]一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料

摘要

本发明公开了一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其化学式为Mg₃P₂O₈。先将原料MgO、(NH₄)H₂PO₄按化学式称量配料，经过球磨、烘干、过筛后于850℃下煅烧，再外加质量百分比为5％的聚乙烯醇，再经过球磨、烘干、过筛后，成型为坯体，坯体于1000～1075℃烧结，制成中温烧结高频介质陶瓷材料。本发明具有较低的烧结温度(1000～1075℃)，较低介电常数(5.4～6.2)，较低损耗值(15～20×10^‑4)，较小的电容量温度系数(40×10^‑6/℃～170×10^‑6/℃)，进一步弥补了市场上低介电常数电容器的空缺。

主权项

一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其化学式为Mg₃P₂O₈。上述中温烧结高频介质陶瓷电容器材料的制备方法，具有如下步骤：(1)将原料MgO、(NH₄)H₂PO₄按Mg₃P₂O₈化学式称量配料；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)处理后的粉料于850℃下煅烧4小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)合成主晶相后的粉料中外加质量百分比为5％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以4MPa的压力成型为坯体；(5)将步骤(4)成型后的坯体于1000～1075℃烧结，保温4小时，制成中温烧结高频介质陶瓷材料。