[发明专利]一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料

权利要求书

1.一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其化学式为Mg₃P₂O₈。

上述中温烧结高频介质陶瓷电容器材料的制备方法，具有如下步骤：

(1)将原料MgO、(NH₄)H₂PO₄按Mg₃P₂O₈化学式称量配料；

(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将 球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤(2)处理后的粉料于850℃下煅烧4小时，合成主晶相；

(4)在步骤(3)合成主晶相后的粉料中外加质量百分比为5％的聚乙烯醇，放入球磨罐 中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以4MPa 的压力成型为坯体；

(5)将步骤(4)成型后的坯体于1000～1075℃烧结，保温4小时，制成中温烧结高频介 质陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其特征在于，所述步 骤(2)和步骤(4)的烘干温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其特征在于，所述步 骤(2)和步骤(4)的陶瓷粉体与氧化锆球、去离子水的质量比为1∶1∶2。

4.根据权利要求1所述的一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其特征在于，所述步 骤(4)的坯体为Φ10mm×1mm的圆片。

5.根据权利要求1所述的一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其特征在于，所述步 骤(4)的粉末压片机的成型压力4Mpa。

6.根据权利要求1所述的一种中温烧结高频介质陶瓷电容器材料，其特征在于，所述步 骤(5)的烧结温度为1050℃，保温时间为4h。