[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，表面形成有若干鳍部及其顶部的第一掩膜层，相邻鳍部之间具有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽、第二凹槽内形成隔离层；使第二凹槽内的隔离层表面低于鳍部顶面；形成第一介质层和位于第一介质层表面的第二介质层；对第二介质层进行平坦化，形成第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质层和第一掩膜层，形成保护层；去除所述第二掩膜层；以所述保护层为掩膜，刻蚀隔离层，使第一凹槽内的隔离层表面低于第二凹槽内的隔离层表面；形成栅极和伪栅极，所述栅极横跨鳍部，所述伪栅极位于保护层表面。所述方法在未被回刻蚀的隔离层表面形成伪栅极，可以提高在此结构基础上形成的晶体管的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干鳍部，所述鳍部顶部具有第一掩膜层，相邻鳍部之间具有与鳍部平行排列的第一凹槽和与鳍部垂直排列的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相交；在所述第一凹槽、第二凹槽内形成隔离层，所述隔离层表面与第一掩膜层表面齐平；刻蚀第二凹槽内的隔离层，使第二凹槽内的隔离层表面低于鳍部顶面；形成覆盖所述第一掩膜层、隔离层的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层；以所述第一介质层为停止层，对第二介质层进行平坦化，形成位于第二凹槽内的隔离层上的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀第一介质层和第一掩膜层，形成位于第二凹槽内的隔离层表面的保护层；去除所述第二掩膜层；以所述保护层为掩膜，刻蚀隔离层，使第一凹槽内的隔离层表面低于第二凹槽内的隔离层表面；形成平行排列的栅极和伪栅极，所述栅极横跨鳍部，所述伪栅极位于保护层表面。