[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干鳍部，所述鳍部顶部具有第一掩膜层，相邻鳍部之间具有与鳍部平行排列的第一凹槽和与鳍部垂直排列的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相交；

在所述第一凹槽、第二凹槽内形成隔离层，所述隔离层表面与第一掩膜层表面齐平；

刻蚀第二凹槽内的隔离层，使第二凹槽内的隔离层表面低于鳍部顶面；

形成覆盖所述第一掩膜层、隔离层的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层；

以所述第一介质层为停止层，对第二介质层进行平坦化，形成位于第二凹槽内的隔离层上的第二掩膜层；

以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀第一介质层和第一掩膜层，形成位于第二凹槽内的隔离层表面的保护层；

去除所述第二掩膜层；

以所述保护层为掩膜，刻蚀隔离层，使第一凹槽内的隔离层表面低于第二凹槽内的隔离层表面；

形成平行排列的栅极和伪栅极，所述栅极横跨鳍部，所述伪栅极位于保护层表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二凹槽内的隔离层的方法包括：形成位于所述隔离层和第一掩膜层表面的具有开口的图形化掩膜层，所述开口暴露出第二凹槽内的隔离层表面；采用反应离子刻蚀工艺对所述第二凹槽内的隔离层进行刻蚀，使第二凹槽内刻蚀后的隔离层表面低于鳍部顶面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化掩膜层的开口宽度大于第二凹槽的宽度，还暴露出位于第二凹槽两侧的鳍部表面的部分第一掩膜层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，暴露出的所述第一掩膜层的宽度小于5nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽内的隔离层表面低于鳍部顶面

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一介质层之前，进行氧化处理，在鳍部两端未被隔离层覆盖的侧壁表面形成氧化层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述氧化层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度范围为

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氮化硅。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或反应离子刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层和第一掩膜层。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述栅极和伪栅极侧壁表面形成侧墙；刻蚀所述栅极两侧的鳍部，形成源漏凹槽；在所述源漏凹槽内形成应力层，并对所述应力层进行掺杂，形成源漏极。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe或SiP。