[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610080765.X | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN107039521A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括形成衬底；在衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在所述栅极结构两侧衬底表面形成第一应力层，所述第一应力层表面高于所述衬底表面；去除所述第一侧墙，暴露出衬底表面；以所述第一应力层和栅极结构为掩膜，非晶化所述第一应力层和栅极结构之间的衬底，形成非晶层；在所述第一应力层和栅极结构之间的衬底表面形成第二侧墙。其中通过形成非晶层，减少源漏区掺杂离子向沟道扩散，减少沟道漏电流。此外，由于不对所述第一应力层下方的衬底进行离子注入，可以避免在漏源区与衬底形成结电容，并能够避免产生结泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底；在衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在所述栅极结构两侧衬底表面形成第一应力层，所述第一应力层表面高于所述衬底表面；在形成所述第一应力层之后，去除所述第一侧墙，暴露出部分衬底表面；以所述阻挡层和栅极结构为掩膜，非晶化所述第一应力层和栅极结构之间的衬底，形成非晶层；在所述第一应力层和栅极结构之间的非晶层表面形成第二侧墙。
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