[发明专利]一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法

摘要

本发明提供了一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，包括如下步骤：等离子体增强原子层沉积设备中通入含锌源气体和含氧源气体，在所述等离子体增强原子层沉积设备反应腔中的衬底表面生长氧化锌薄膜；所述的含锌源气体和含氧源气体是以脉冲方式交替通入所述反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹扫所述反应腔；上述含锌源气体、惰性气体以及含氧源气体的通入，经过若干次循环，逐层生长氧化锌薄膜；其中，在所述反应腔中预先通入含氧源气体并进行等离子增强起辉来对衬底表面预先处理，以对衬底表面进行羟基修饰，从而填补了衬底表面的缺陷。本发明仅对制备过程中的工艺进行控制，而无需掺杂就能在较大尺寸的衬底表面制备p型氧化锌薄膜。

主权项

一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：在等离子体增强原子层沉积设备反应腔中预先通入含氧源气体并进行等离子增强起辉来对衬底表面预先处理，以对衬底表面进行羟基修饰；在等离子体增强原子层沉积设备中通入含锌源气体和含氧源气体，在所述等离子体增强原子层沉积设备的反应腔中的所述衬底表面生长氧化锌薄膜；所述的含锌源气体和含氧源气体以脉冲方式交替通入所述反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹扫所述反应腔；所述含锌源气体、惰性气体以及含氧源气体的通入，经过若干次循环，逐层生长氧化锌薄膜。