[发明专利]一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610068614.2 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105779971A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张柏诚;贾毅;贾泓超;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心;嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 半导体 氧化锌 薄膜 方法 | ||
1.一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征在于：包括如下 步骤：在等离子体增强原子层沉积设备反应腔中预先通入含氧源气体并进行等 离子增强起辉来对衬底表面预先处理，以对衬底表面进行羟基修饰；在等离子 体增强原子层沉积设备中通入含锌源气体和含氧源气体，在所述等离子体增强 原子层沉积设备的反应腔中的所述衬底表面生长氧化锌薄膜；所述的含锌源气 体和含氧源气体以脉冲方式交替通入所述反应腔中，二者之间用惰性气体进行 吹扫所述反应腔；所述含锌源气体、惰性气体以及含氧源气体的通入，经过若 干次循环，逐层生长氧化锌薄膜。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：所述含锌源气体为高挥发性、高纯度的有机锌化合物，包括纯度为99.99％ 的二乙基锌或二甲基锌气体，所述含氧源气体包括去离子水蒸汽或氧气，所述 惰性气体为纯度为99.99％的氩气。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：反应过程中每个所述循环包含以下具体步骤：通入含锌源气体0.01- 0.05s，惰性气体吹扫10-30s，通入含氧源气体10-30s以及惰性气体吹扫10- 30s。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：反应过程中每个循环依次包含以下具体步骤：通入含锌源气体0.03s， 惰性气体吹扫20s，通入含氧源气体25s，惰性气体吹扫20s。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：反应过程中所述循环共450-1500个周期,所述氧化锌薄膜的厚度为50- 200nm。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：所述氧化锌薄膜的厚度为50-70nm。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：所述衬底采用4寸硅片或石英片。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：所述等离子体增强原子层淀积设备的射频功率在10～300W之间调节， 射频距离载台10-20cm。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其特征 在于：所述等离子体增强原子层淀积设备的射频功率为120W。
10.根据权利要求1所述的原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，其 特征在于：所述原子层沉积设备反应腔中用于承载衬底的基盘的温度为120- 180℃，反应腔真空度为0.15torr。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
