[发明专利]LTPS阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种LTPS阵列基板的制作方法，将缓冲层与遮光层的相对位置互换，并且将遮光层的材料从常用的金属钼更换为保温性能良好的金属氧化物，从而提高了非晶硅层结晶时的结晶度，有利于提高TFT器件的电子迁移率；减少一次清洗制程与一道光刻制程，从而减少1道光罩的生产成本，并且减少LTPS阵列基板的制程时间，可节约成本，提升产能。

主权项

一种LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成缓冲层(30)、金属氧化物层(33)、及非晶硅层(34)；所述金属氧化物层(33)的材料为氧化铝；步骤2、采用低温结晶工艺将所述非晶硅层(34)转化为多晶硅层(35)；步骤3、采用一道光刻制程对所述多晶硅层(35)进行图形化处理，得到有源层(40)，并对所述有源层(40)进行沟道掺杂，以及对所述有源层(40)的两端进行N型重掺杂，同时对所述有源层(40)的沟道两侧进行N型轻掺杂；步骤4、在所述有源层(40)、及金属氧化物层(33)上形成绝缘层(50)；步骤5、在所述绝缘层(50)上形成第一金属层(53)；步骤6、在所述第一金属层(53)上涂布一光阻层(55)，采用一光罩对其曝光、显影后，采用3道干蚀刻制程依次对所述第一金属层(53)、绝缘层(50)、及金属氧化物层(33)进行蚀刻，得到上下对齐的栅极(60)与栅极绝缘层(57)、以及与所述有源层(40)对齐的遮光层(70)，且所述栅极(60)与栅极绝缘层(57)的宽度小于所述有源层(40)与遮光层(70)的宽度，之后剥离剩余的光阻层(55)。