[发明专利]LTPS阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是广泛用于中小电子产品中的一种液晶显示技术。传统的非晶硅材料的电子迁移率约0.5-1.0cm²/V.S，而低温多晶硅的电子迁移率可达30-300cm²/V.S。因此，低温多晶硅液晶显示器具有高解析度、反应速度快、高开口率等诸多优点。

在当前的LTPS阵列基板的制造中，尤其是传统的CMOS(互补型金属氧化物半导体)阵列基板的制程中需要经过12-14次曝光制程，相应的也就需要12-14道光罩。但是，在面板厂的机台成本中，由于曝光机的成本最高，意味着面板厂为了节约成本不可能大量购进曝光设备，因此曝光机的产能也就制约着各大面板制造厂的产品数量。因此，能够节约曝光次数，即减少光罩使用数量，是各面板厂节约成本提升产能的首选方法。

如图1所示，为传统的LTPS阵列基板的部分膜层的结构示意图，所述LTPS阵列基板包括玻璃基板100、设于玻璃基板100上的遮光层200、设于所述遮光层200、及玻璃基板100上的缓冲层300、设于所述缓冲层300上的有源层400、设于所述有源层400、及缓冲层300上的栅极绝缘层500、及设于所述栅极绝缘层500上的栅极600。所述LTPS阵列基板中从遮光层200到栅极600的膜层结构的制作流程如下：

步骤1、首先对玻璃基板100进行清洗，采用物理气相沉积方法(PVD)在所述玻璃基板100上形成一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图形化处理，得到遮光层200，所述遮光层200的材料一般为金属钼(Mo)；

步骤2、在所述遮光层200、及玻璃基板100上形成缓冲层300；

步骤3、采用化学气相沉积方法(CVD)在所述缓冲层300上形成一非晶硅层，采用准分子激光退火方法将所述非晶硅层转化为多晶硅层，采用一道光刻制程对所述多晶硅层进行图形化处理，得到有源层400，对所述有源层400进行沟道掺杂及NMOS掺杂；

步骤4、采用化学气相沉积方法(CVD)在所述有源层400、及缓冲层300上形成栅极绝缘层500；

步骤5、采用物理气相沉积方法(PVD)在所述栅极绝缘层500上形成一金属层，采用一道光刻制程对所述金属层进行图形化处理，得到栅极600；

上述步骤1至步骤5(从遮光层200到栅极600的制程)共采用3道光刻制程，因此需要3道光罩，制作成本较高。除了步骤1对玻璃基板100进行清洗以外，在所述步骤2、步骤3、步骤4、步骤5的制程之前均需对上一环节完成的基板进行清洗，共计5次清洗过程，清洗次数较多，从而会增加制程时间，降低产能，因此，有必要提供一种LTPS阵列基板的制作方法，以解决该技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LTPS阵列基板的制作方法，可节约成本，减少光罩数量和制程时间，提高产能，并且提升TFT器件的电学性能。