[发明专利]LTPS阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成缓冲层(30)、金属氧化物层(33)、及非晶硅层(34)；所述金属氧化物层(33)的材料为氧化铝；

步骤2、采用低温结晶工艺将所述非晶硅层(34)转化为多晶硅层(35)；

步骤3、采用一道光刻制程对所述多晶硅层(35)进行图形化处理，得到有源层(40)，并对所述有源层(40)进行沟道掺杂，以及对所述有源层(40)的两端进行N型重掺杂，同时对所述有源层(40)的沟道两侧进行N型轻掺杂；

步骤4、在所述有源层(40)、及金属氧化物层(33)上形成绝缘层(50)；

步骤5、在所述绝缘层(50)上形成第一金属层(53)；

步骤6、在所述第一金属层(53)上涂布一光阻层(55)，采用一光罩对其曝光、显影后，采用3道干蚀刻制程依次对所述第一金属层(53)、绝缘层(50)、及金属氧化物层(33)进行蚀刻，得到上下对齐的栅极(60)与栅极绝缘层(57)、以及与所述有源层(40)对齐的遮光层(70)，且所述栅极(60)与栅极绝缘层(57)的宽度小于所述有源层(40)与遮光层(70)的宽度，之后剥离剩余的光阻层(55)。

2.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6中，采用第一道干蚀刻制程对所述第一金属层(53)进行蚀刻，得到栅极(60)，采用的蚀刻气体为氯气与氧气的混合气体或者六氟化硫与氧气的混合气体；

采用第二道干蚀刻制程对所述绝缘层(50)进行蚀刻，得到栅极绝缘层(57)，采用的蚀刻气体为四氟化碳与氧气的混合气体或者六氟化硫与氧气的混合气体；

采用第三道干蚀刻制程对所述金属氧化物层(33)进行蚀刻，得到遮光层(70)，采用的蚀刻气体为氯气与六氟化硫的混合气体、或者氯化硼气体。

3.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，通过化学气相沉积方法形成所述缓冲层(30)；通过物理气相沉积方法形成所述金属氧化物层(33)；通过化学气相沉积方法形成所述非晶硅层(34)；所述步骤4中，通过化学气相沉积方法形成所述绝缘层(50)；所述步骤5中，通过物理气相沉积方法形成所述第一金属层(53)。

4.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述低温结晶工艺为准分子激光退火法。

5.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，在形成缓冲层(30)之前，采用去离子水或者添加清洗剂的去离子水对基板(10)进行清洗；

所述步骤2中，在对所述非晶硅层(34)进行低温晶化之前，采用氢氟酸对所述步骤1得到的基板进行清洗；

所述步骤4中，在形成所述绝缘层(50)之前，采用氢氟酸对所述步骤3得到的基板进行清洗；

所述步骤5中，在形成第一金属层(53)之前，采用去离子水或者添加清洗剂的去离子水对所述步骤4得到的基板进行清洗。

6.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述沟道掺杂的制程为：对整个有源层(40)进行P型轻掺杂，或者仅对所述有源层(40)的中间区域进行P型轻掺杂。

7.如权利要求1所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

步骤7、在所述栅极(60)、有源层(40)、及缓冲层(20)上形成层间绝缘层(80)，采用一道光刻制程对所述层间绝缘层(80)进行图形化处理，得到分别对应于所述有源层(40)的两侧上方的两过孔(81)；

步骤8、在所述层间绝缘层(80)上沉积第二金属层(90)，采用一道光刻制程对所述第二金属层(90)进行图形化处理，得到源极(91)与漏极(92)，所述源极(91)与漏极(92)分别经由两过孔(81)与所述有源层(40)的两侧相接触。

8.如权利要求7所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7中，通过化学气相沉积方法形成所述层间绝缘层(80)；所述步骤8中，通过物理气相沉积方法形成所述第二金属层(90)。

9.如权利要求7所述的LTPS阵列基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(30)、绝缘层(50)、及层间绝缘层(80)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述第一金属层(53)和第二金属层(90)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。