[发明专利]半导体器件结构及其制备方法、半导体器件版图结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法、半导体器件版图结构，涉及半导体器件的制备技术领域，可应用于诸如功率放大器、比较器等对于对称性要求较高的半导体器件的制备工艺中，通过利用多晶硅虚拟结构来替换传统的虚拟MOS，使得制备的器件在设计要求的同时，能够有效的确保器件不会因增设的多晶硅虚拟结构而过大的增大其尺寸，以使得制备的器件能够正常进行后续的封装工艺，使得最终封装后的器件具有较小的尺寸，在降低生产成本的同时，也符合当前半导体器件向小发展的趋势，有效提高器件的竞争力。

主权项

一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底；对称器件结构，设置于所述半导体衬底上；呈非对称图案的器件结构，分布于所述半导体衬底上且临近所述对称器件结构有；多晶硅虚拟结构，对应所述呈非对称图案的器件结构且临近所述对称器件结构设置于所述半导体衬底上，以提升制备所述对称器件结构的对称性。