[发明专利]半导体器件结构及其制备方法、半导体器件版图结构有效
| 申请号： | 201610057020.1 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN107017243B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 林赞诚 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 版图 | ||
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
对称器件结构，设置于所述半导体衬底上；
呈非对称图案的器件结构，分布于所述半导体衬底上且临近所述对称器件结构；
多晶硅虚拟结构，对应所述呈非对称图案的器件结构且临近所述对称器件结构设置于所述半导体衬底上，以提升制备所述对称器件结构的对称性。
2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器或运算放大器。
3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器时，所述对称器件结构为镜像电流源。
4.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件为运算放大器时，所述对称器件结构为差动对器件。
5.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：
对称器件结构版图区；
非对称图案版图区，设置于临近所述对称器件结构版图区的位置处；
多晶硅虚拟结构版图区，对应所述非对称图案版图区设置于临近所述对称器件结构版图区的位置处，以提升采用对称器件结构版图区制备的对称器件结构的对称性。
6.如权利要求5所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述半导体器件版图结构为功率放大器版图结构或运算放大器版图结构。
7.如权利要求6所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述半导体器件版图结构为功率放大器版图结构时，所述对称器件结构版图区为镜像电流源版图区。
8.如权利要求6所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述半导体器件版图结构为运算放大器版图结构时，所述对称器件结构版图区为差动对器件版图区。
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底；
于所述半导体衬底上制备具有非对称图案的器件结构；
对应所述非对称图案于所述半导体衬底上制备多晶硅虚拟结构；
在所述半导体衬底上于临近所述多晶硅虚拟结构的位置处制备对称器件结构，以利用所述多晶硅虚拟结构提升制备的所述对称器件结构的对称性。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为功率放大器或运算放大器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
