[发明专利]包括掺杂的半导体膜的光伏器件有效
| 申请号： | 201610044784.7 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105655430B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 瑞克·C·鲍威尔;乌帕里·扎亚玛哈;安克·阿肯;马库斯·格勒克勒;阿克列士·古普塔;罗杰·T·格林;彼得·迈耶斯 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0296;H01L31/073;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种光伏电池可包含与半导体层接触的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 掺杂 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池，所述光伏电池包括：透明导电层；位于透明导电层之上的半导体吸收层，其中，半导体吸收层是P型掺杂，其中，半导体吸收层包括CdTe、V族元素、I族元素以及Cl。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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