[发明专利]垂直金属绝缘体金属电容器有效
| 申请号： | 201610037440.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105810669B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件以及形成方法。半导体器件包括器件管芯、围绕器件管芯的模制层、形成在模制层中的多个第一垂直导电结构以及形成在模制层中的多个第二垂直的互连结构。第一垂直导电结构和第二垂直导电结构相互交错，以及绝缘结构形成在第一垂直导电结构和第二垂直导电结构之间。本发明还公开了垂直金属绝缘体金属电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 金属 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：器件管芯；模制层，围绕所述器件管芯；多个第一垂直导电结构，形成在所述模制层中；以及多个第二垂直导电结构，形成在所述模制层中；第一聚合物层，位于所述模制层上面；第一再分布层，位于所述第一聚合物层上面以形成导电平面，其中，所述导电平面电耦合至所述第二垂直导电结构，而没有电耦合至所述第一垂直导电结构；其中，所述第一垂直导电结构和所述第二垂直导电结构相互交错，以及绝缘结构形成在所述第一垂直导电结构和所述第二垂直导电结构之间。
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