[发明专利]FDSOI电容器有效
| 申请号： | 201610021003.2 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105789188B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | J·亨治尔;P·巴尔斯;H-P·摩尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FDSOI电容器。本发明提供一种制造包括电容器结构的半导体装置的方法，包括步骤：提供SOI晶圆，该SOI晶圆包括衬底、形成于该衬底上方的氧化物埋层以及形成于该氧化物埋层上方的半导体层；移除该晶圆的第一区中的该半导体层，以暴露该氧化物埋层；在该第一区中的该暴露氧化物埋层上方形成介电层；以及在该介电层上方形成导电层。另外，本发明提供一种包括形成于晶圆上的电容器的半导体装置，其中该电容器包括：第一电容器电极，包括该晶圆的掺杂半导体衬底；电容器绝缘体，包括该晶圆的超薄氧化物埋层以及形成于该超薄氧化物埋层上的高k介电层；以及第二电容器电极，包括形成于该高k介电层上方的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物埋层 晶圆 电容器 衬底 半导体装置 高k介电层 半导体层 导电层 第一区 介电层 电容器绝缘体 掺杂半导体 第一电容器 电容器电极 电容器结构 电极 暴露 移除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括电容器结构的半导体装置的方法，包括步骤：提供SOI晶圆，该SOI晶圆包括衬底、形成于该衬底上方的氧化物埋层以及形成于该氧化物埋层上方的半导体层，其中，该衬底包括形成该电容器结构的第一电容器电极的掺杂区域；移除该晶圆的第一区中的该半导体层，以暴露该氧化物埋层；在该第一区中的该暴露氧化物埋层上方形成介电层，以形成电容器绝缘体；以及在该介电层上方形成导电层，以形成该电容器结构的第二电容器电极。
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