[发明专利]静电保护器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610016114.4 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960838B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电保护器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区；在所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构一侧的半导体衬底，在栅极结构一侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽底部的半导体衬底表面形成第一半导体区，第一半导体区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；在所述第一半导体区上形成填充凹槽的第二半导体区，所述第一半导体区材料的晶格常数大于第二半导体区材料的晶格常数；在栅极结构一侧的第二半导体区和半导体衬底内形成漏区，所述漏区的底部与第一半导体区接触；在栅极结构另一侧的半导体衬底内形成源区。本发明的方法降低了静电保护器件的静电释放时的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电保护器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区；在所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构一侧的半导体衬底，在栅极结构一侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽底部的半导体衬底表面形成第一半导体区，第一半导体区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；在所述第一半导体区上形成填充凹槽的第二半导体区，所述第一半导体区材料的晶格常数大于第二半导体区材料的晶格常数；在栅极结构一侧的第二半导体区和半导体衬底内形成漏区，所述漏区的底部与第一半导体区接触，漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；在栅极结构另一侧的半导体衬底内形成源区，源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同。
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