[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610006819.8 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105448936B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 林子锦;赵海生;彭志龙;孙东江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,主要内容包括:在有源层的一表面设置有栅绝缘层,另外一表面设置有阻隔绝缘层,从而,能够很好的将有源层与相邻其他第一导电层隔绝,进而,避免了有源层的残留物搭接任一第一导电层,尤其有效避免了有源层的残留物搭接像素电极与数据线的情况,从而,解决了搭接所造成的TFT电学不良的问题。同时,由于增加了阻隔绝缘层,且该膜层的厚度可适当调整,从而,降低了膜层形成有源层后整个阵列基板的膜层表面的高度差,提升了膜层表面的平整性,因而,在膜层表面的坡度角较小的情况下,能够使得后续膜层更好的沉积,减少因膜层表面高度差较大或坡度角较大而造成的膜层断裂现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,所述阵列基板为底栅结构阵列基板;包括:衬底基板,栅线,栅绝缘层,有源层,与所述有源层接触的源漏极,第一导电层,其特征在于,还包括:阻隔绝缘层;其中,所述栅线位于所述衬底基板之上,所述栅绝缘层位于所述栅线之上且覆盖所述衬底基板;所述有源层位于所述栅绝缘层之上;所述阻隔绝缘层与所述有源层齐平设置,其中所述阻隔绝缘层在所述有源层与所述源漏极的接触区域通过镂空结构暴露出所述有源层;所述源漏极位于所述绝缘阻隔层之上,且与暴露出的有源层相接触;所述阻隔绝缘层用于阻隔所述有源层在所述镂空结构所在区域之外的残留物与所述第一导电层的接触;所述第一导电层包括数据线、像素电极、栅线以及公共电极中任意一种;所述阻隔绝缘层在所述像素电极所在区域具有镂空结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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