[发明专利]封装件结构有效
| 申请号： | 201610003568.8 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106328602B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 苏安治;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种封装件结构，其包括：管芯、密封剂、通孔、第一介电层、导电线结构、粘附促进层、第二介电层和连接件。密封剂形成在管芯旁边。通孔形成在管芯旁边并且穿透密封剂。第一介电层形成在管芯、密封剂和通孔上面。导电线结构包括位于第一介电层上方的焊盘。粘附促进层覆盖焊盘的顶面的第一部分和侧壁并且位于第一介电层上面。第二介电层覆盖粘附促进层。连接件与焊盘的顶面的第二部分接触。焊盘的顶面的第二部分通过粘附促进层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种封装件结构，包括：管芯；密封剂，位于所述管芯旁边；通孔，位于所述管芯旁边并且穿透所述密封剂；第一介电层，位于所述管芯、所述密封剂和所述通孔上面；导电线结构，包括位于所述第一介电层上方的焊盘；粘附促进层，位于所述焊盘的顶面的第一部分和所述焊盘的侧壁上面及所述第一介电层上面，所述粘附促进层具有暴露所述第一介电层的开口；第二介电层，位于所述粘附促进层上面；以及连接件，与所述焊盘的顶面的第二部分接触，其中，所述焊盘的顶面的第二部分通过所述粘附促进层暴露，所述连接件与所述第二介电层直接接触。
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