[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610003005.9 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106941122B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 洪培恒;马洛宜·库马;张雄世;李家豪;陈强伟 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：埋藏氧化层，设置于基板上；半导体层，设置于埋藏氧化层上；第一阱，设置于半导体层中；第二阱和第三阱，分别接近于第一阱的相对两侧，且与第一阱分别相距第一距离和第二距离；一隔绝物，覆盖第一阱和第三阱；一多晶场板，设置于隔绝物上，且位于第一阱和第三阱之间的半导体层上方；第一阳极掺杂区，设置于第二阱中；第二阳极掺杂区，设置于第二阱中；第三阳极掺杂区，设置于第二阱中，第二阳极掺杂区位于第三阳极掺杂区的正上方；第一阴极掺杂区，耦接至第三阱。通过实施本发明，可进一步抑制寄生双载子结晶体管所产生闭锁效应，因而有效保护元件抑制漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一埋藏氧化层，设置于该基板上；一半导体层，具有一第一导电类型，设置于该埋藏氧化层上；一第一阱，具有该第一导电类型，设置于该半导体层中；一第二阱和一第三阱，具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型，分别接近于该第一阱的相对两侧，且与该第一阱分别相距一第一距离和一第二距离；一隔绝物，覆盖该第一阱和该第三阱；一多晶场板，具有该第一导电类型或第二导电类型，设置于该隔绝物上，且该多晶场板位于该第一阱和该第三阱之间的该半导体层上方；一第一阳极掺杂区，具有该第二导电类型，设置于该第二阱中；一第二阳极掺杂区，具有该第一导电类型，设置于该第二阱中；一第三阳极掺杂区，具有该第一导电类型，设置于该第二阱中，其中该第二阳极掺杂区位于该第三阳极掺杂区的正上方；以及一第一阴极掺杂区，具有该第二导电类型，耦接至该第三阱。
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