[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：埋藏氧化层，设置于基板上；半导体层，设置于埋藏氧化层上；第一阱，设置于半导体层中；第二阱和第三阱，分别接近于第一阱的相对两侧，且与第一阱分别相距第一距离和第二距离；一隔绝物，覆盖第一阱和第三阱；一多晶场板，设置于隔绝物上，且位于第一阱和第三阱之间的半导体层上方；第一阳极掺杂区，设置于第二阱中；第二阳极掺杂区，设置于第二阱中；第三阳极掺杂区，设置于第二阱中，第二阳极掺杂区位于第三阳极掺杂区的正上方；第一阴极掺杂区，耦接至第三阱。通过实施本发明，可进一步抑制寄生双载子结晶体管所产生闭锁效应，因而有效保护元件抑制漏电流。

技术领域

本发明是关于一种半导体装置，特别是关于一种快速回复二极管及其制造方法。

背景技术

快速回复二极管(fast recovery diode)的特点为在顺向电压(forwardvoltage)条件下，电流的多数载子会流经通道区，且在反向电压(reverse voltage)条件下，由于反向恢复电荷少，可降低关断电流抽出少数载子所需的反向回复时间(reverserecovery time，tRR)，并可维持软恢复特性。然而，如果要提高快速回复二极管的耐压，则会使反向回复时间延长。

此外，在快速回复二极管(fast recovery diode)中，当金属线横跨装置时，会产生电流提早上升(early take off)和漏电流的问题。一般需要使用多层金属层，使得金属层远离装置以降低对装置的影响，进一步解决上述问题。然而，使用多层金属层却会增加工艺成本。

因此，在此技术领域中，有需要一种大电流、反向恢复时间短，反向恢复软度高，高耐压的快速回复二极管，以改善上述缺点。

发明内容

本发明的一实施例是提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板；一埋藏氧化层，设置于上述基板上；一半导体层，具有一第一导电类型，设置于上述埋藏氧化层上；一第一阱，具有上述第一导电类型，设置于上述半导体层中；一第二阱和一第三阱，具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，分别接近于上述第一阱的相对两侧，且与上述第一阱分别相距一第一距离和一第二距离；一隔绝物，覆盖上述第一阱和第三阱；一多晶场板(poly field plate)，具有上述第一导电类型或第二导电类型，设置于上述隔绝物上，且位于上述第一阱和第三阱之间的上述半导体层上方；一第一阳极掺杂区，具有上述第二导电类型，设置于上述第二阱中；一第二阳极掺杂区，具有上述第一导电类型，设置于上述第二阱中；一第三阳极掺杂区，具有上述第一导电类型，设置于上述第二阱中，其中上述第二阳极掺杂区位于上述第三阳极掺杂区的正上方；一第一阴极掺杂区，具有上述第二导电类型，耦接至上述第三阱。

本发明的另一实施例是提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括：提供一基板；形成一埋藏氧化层于上述基板上；形成一半导体层于上述埋藏氧化层上，且上述半导体层具有一第一导电类型；形成一第一阱于上述半导体层中，且上述第一阱具有上述第一导电类型；形成一第二阱和一第三阱分别接近于上述第一阱的相对两侧，且与上述第一阱分别相距一第一距离和一第二距离，其中上述第二阱和第三阱具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型；形成一隔绝物覆盖上述第一阱和上述第三阱；形成一多晶场板(polyfield plate)于上述隔绝物上及上述第一阱和第三阱之间的上述半导体层上方，且上述多晶场板具有上述第一导电类型或第二导电类型；形成一第一阳极掺杂区于上述第二阱中，且上述第一阳极掺杂区具有上述第二导电类型；形成一第二阳极掺杂区于上述第二阱中，且上述第二阳极掺杂区具有上述第一导电类型；形成一第三阳极掺杂区于上述第二阱中，且上述第三阳极掺杂区具有上述第一导电类型，其中上述第二阳极掺杂区形成于上述第三阳极掺杂区的正上方；以及形成一第一阴极掺杂区耦接至上述第三阱，且上述第一阴极掺杂区具有上述第二导电类型。

通过实施本发明，可进一步抑制寄生双载子结晶体管所产生闭锁效应，因而有效保护元件抑制漏电流。

附图说明