[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201580077285.1 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN107430881B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 长田佳晃;初田幸辅 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/06;G11C7/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储装置包含存储器单元、连接到所述存储器单元的位线及连接到所述位线的感测电路，其中所述感测电路包含：第一晶体管，其具有连接到所述位线的第一端；第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端；第三晶体管，其具有连接到所述位线的第一端；第四晶体管，其具有连接到所述第三晶体管的第二端的第一端；及放大器，其连接到所述第二晶体管的第二端及所述第四晶体管的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其包括：存储器单元；位线，其连接到所述存储器单元；及感测电路，其连接到所述位线，其中所述感测电路包括：第一晶体管，其具有连接到所述位线的第一端及第一信号输入到的栅极；第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端及第二信号输入到的栅极；第三晶体管，其具有连接到所述位线的第一端及所述第二信号输入到的栅极；第四晶体管，其具有连接到所述第三晶体管的第二端的第一端及所述第一信号输入到的栅极；及放大器，其连接到所述第二晶体管的第二端及所述第四晶体管的第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580077285.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
