[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201580077285.1 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107430881B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 长田佳晃;初田幸辅 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C7/06;G11C7/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,其包括:
存储器单元;
位线,其连接到所述存储器单元;及
感测电路,其连接到所述位线,
其中所述感测电路包括:
第一晶体管,其具有连接到所述位线的第一端及第一信号输入到的栅极;
第二晶体管,其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端及第二信号输入到的栅极;
第三晶体管,其具有连接到所述位线的第一端及所述第二信号输入到的栅极;
第四晶体管,其具有连接到所述第三晶体管的第二端的第一端及所述第一信号输入到的栅极;及
放大器,其连接到所述第二晶体管的第二端及所述第四晶体管的第二端。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中:
所述第一晶体管与所述第四晶体管之间的尺寸比率等同于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间的尺寸比率。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其进一步包括:
参考电路;及
参考位线,其连接到所述参考电路,
其中所述感测电路包括:
第五晶体管,其具有连接到所述参考位线的第一端及所述第一信号输入到的栅极;
第六晶体管,其具有连接到所述第五晶体管的第二端的第一端、连接到所述放大器的第二端及第三信号输入到的栅极;
第七晶体管,其具有连接到所述参考位线的第一端及所述第三信号输入到的栅极;及
第八晶体管,其具有连接到所述第七晶体管的第二端的第一端、连接到所述放大器的第二端及所述第一信号输入到的栅极。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中:
所述第一晶体管与所述第四晶体管之间的尺寸比率等同于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间的尺寸比率,且
所述第五晶体管与所述第八晶体管之间的尺寸比率等同于所述第六晶体管与所述第七晶体管之间的尺寸比率。
5.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中所述第二信号为等同于所述第三信号的信号。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中所述参考电路包括晶体管。
7.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其中所述放大器包括:
具有第一导电类型的第九晶体管,其具有连接到所述第二晶体管的所述第二端及所述第四晶体管的所述第二端的第一端、连接到第一节点的第二端及连接到第二节点的栅极;
具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第十晶体管,所述第十晶体管包括连接到所述第一节点的第一端、连接到电力供应电压施加到的第三节点的第二端及连接到所述第二节点的栅极;
具有所述第一导电类型的第十一晶体管,其具有连接到所述第六晶体管的所述第二端及所述第八晶体管的所述第二端的第一端、连接到所述第二节点的第二端及连接到所述第一节点的栅极;及
具有所述第二导电类型的第十二晶体管,其具有连接到所述第二节点的第一端、连接到所述第三节点的第二端及连接到所述第一节点的栅极。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置,其中所述放大器进一步包括:
第十三晶体管,其具有所述电力供应电压施加到的第一端、连接到所述第三节点的第二端及第四信号输入到的栅极;及
第十四晶体管,其具有连接到所述第一节点的第一端、连接到所述第二节点的第二端及第五信号输入到的栅极。
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