[发明专利]半导体封装件

摘要

提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

主权项

一种形成半导体封装件的方法，包括：在管芯背面形成中间金属层，该中间金属层包括多个子层，每个子层包含金属，该金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的任意组合；将锡层沉积到中间金属层上；以及将锡层与衬底的银层一起进行回流焊，以形成熔融温度大于260摄氏度的金属间化合物层。