[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580067401.1 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004700B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 斋藤顺;小野木淳士;青井佐智子;水野祥司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，形成有半导体元件；和绝缘膜，形成于所述半导体基板之上，所述半导体基板具备第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分，所述第二部分的上表面位于比所述第一部分的上表面靠下方处，在位于所述第一部分与所述第二部分相邻的位置的所述第二部分的上表面形成有在所述半导体基板的厚度方向上延伸的凹部，所述绝缘膜从所述第一部分延伸到所述第二部分，并填充所述凹部。
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