[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，形成有半导体元件；和

绝缘膜，形成于所述半导体基板之上，

所述半导体基板具备第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分，所述第二部分的上表面位于比所述第一部分的上表面靠下方处，

在位于所述第一部分与所述第二部分相邻的位置的所述第二部分的上表面形成有在所述半导体基板的厚度方向上延伸的凹部，

所述绝缘膜从所述第一部分延伸到所述第二部分中的凹部以外的部分，并填充所述凹部，

在所述第二部分形成有多个场限环，

最靠近所述第一部分的所述场限环形成于所述凹部之下，

所述场限环为第一导电型，

在所述第一部分的上表面形成有沟槽，

在所述沟槽的底面附近形成有第一导电型的第一区域，

在最靠近所述第一部分的所述场限环与所述第一区域之间存在第二导电型的第二区域，

所述沟槽的底面位于比所述凹部的底面靠下侧处，

所述半导体基板的厚度方向上的从所述沟槽的底面到所述凹部的底面的距离比从所述凹部的底面到所述第二部分的上表面的距离短。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部分与所述第二部分相邻的方向上的所述凹部的宽度为在所述第二部分的上表面形成的所述绝缘膜的厚度的两倍以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

所述凹部的所述第二部分侧的侧面与所述第一部分的侧面所成的角度为90度以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

所述凹部的所述第二部分侧的侧面与所述第一部分的侧面所成的角度为45度以下。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

所述凹部的深度随着朝向所述第一部分而连续地变深。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述凹部的深度随着朝向所述第一部分而连续地变深。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

所述凹部的深度随着朝向所述第一部分而连续地变深。

8.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置利用半导体基板，该半导体基板具备第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分，所述第二部分的上表面位于比所述第一部分的上表面靠下方处，其中，

所述制造方法包括：

在位于所述第一部分与所述第二部分相邻的位置的所述第二部分的上表面形成在所述半导体基板的厚度方向上延伸的凹部的工序；

在所述第二部分形成多个场限环，对所述凹部注入杂质而在所述凹部之下形成最靠近所述第一部分的所述场限环的工序；和

在所述半导体基板之上形成从所述第一部分延伸到所述第二部分中的凹部以外的部分并填充所述凹部的绝缘膜的工序，

所述场限环为第一导电型，

在所述第一部分的上表面形成有沟槽，

在所述沟槽的底面附近形成有第一导电型的第一区域，

在最靠近所述第一部分的所述场限环与所述第一区域之间存在第二导电型的第二区域，

所述沟槽的底面位于比所述凹部的底面靠下侧处，

所述半导体基板的厚度方向上的从所述沟槽的底面到所述凹部的底面的距离比从所述凹部的底面到所述第二部分的上表面的距离短。